Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-VAP4T0, 4 TB, M.2, 14800 MB/s

Puntos clave del producto

• 4 TB M.2 PCI Express 5.0
• Velocidad de lectura: 14800 MB/s 2200000 IOPS
• Velocidad de escritura: 13400 MB/s 2600000 IOPS
• V-NAND TLC NVMe 2.0
• Encriptación de hardware 256-bit AES
• Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
• Componente para: PC/Consola de videojuegos

Características

• Versión NVMe: 2.0
• Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
• SDD, capacidad: 4 TB
• Factor de forma de disco SSD: M.2
• Interfaz: PCI Express 5.0
• NVMe: Si
• Tipo de memoria: V-NAND TLC
• Componente para: PC/Consola de videojuegos
• Encriptación de hardware: Si
• Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
• Velocidad de lectura: 14800 MB/s
• Velocidad de escritura: 13400 MB/s
• Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
• Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
• Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
• Función DevSleep: Si
• Soporte S.M.A.R.T.: Si
• Soporte TRIM: Si
• Tiempo medio entre fallos: 1500000 h

Control de energía

• Voltaje de operación: 3,3 V
• Consumo eléctrico promedio (lectura): 9 W
• Consumo eléctrico promedio (escritura): 8,2 W

Peso y dimensiones

• Ancho: 80,2 mm
• Profundidad: 8,88 mm
• Altura: 25 mm
• Peso: 30 g

Empaquetado

• Tipo de embalaje: Caja

Condiciones ambientales

• Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
• Golpes en funcionamiento: 1500 G

Otras características

• Periodo de garantía: 5 año(s)

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